我的女儿叫小可

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    薄膜電路

    一、特性
    我的女儿叫小可         在電路基片上淀積集成元件,如薄膜電容、薄膜電感、薄膜電阻和分布參數電路元件,所制作的元件參數范圍寬、精度高、溫度頻率特性好,可以工作到毫米波段,并且集成度較高、尺寸較小。

    二、基片及性能 

    性質

    單位

    即燒氧化鋁

    拋光氧化鋁

    氧化鈹

    氮化鋁

    純度

    %

    99.6

    99.6

    99.5

    98

    表面粗糙度

    Ra(um)

    0.10~0.20

    0.10~0.05

    0.10~0.20

    0.10~0.20

    密度

    g/cm3

    3.87

    3.87

    2.85

    3.28

    翹曲度

    inch/inch

    0.002

    0.002

    我的女儿叫小可0.003~0.005

    0.003~0.005

    熱膨脹系數

    10-6

    7.0-8.3
    我的女儿叫小可 (25-1000℃)

    7.0-8.3
    我的女儿叫小可 (25-1000℃)

    9.0
    我的女儿叫小可 (25-1000℃)

    4.6
    (25-1000℃)

    熱導率

    W/m·K

    26.9

    26.9

    270

    170

    介電常數

    @1MHz

    9.9±0.1

    9.9±0.1

    6.5

    8.6

    介電常數

    @4GHz

    9.9

    9.9

    ――

    ――

    介電常數

    @10GHz

    9.7

    9.7

    ――

    ――

    介質損耗

    @1MHz

    0.0001

    0.0001

    0.0004

    0.001

    介質損耗

    @4GHz

    0.0002

    0.0002

    ――

    ――

    介質損耗

    @10GHz

    5000

    5000

    ――

    ――

    三、常規厚度及代碼 

    代碼

    10

    15

    20

    25

    30

    40

    厚度

    0.254±0.025
    0.010±0.001

    0.381±0.050
    我的女儿叫小可 0.015±0.002

    0.508±0.050
    0.020±0.002

    0.635±0.050
    0.025±0.002

    0.762±0.050
    0.030±0.002

    1.016±0.050
    我的女儿叫小可 0.040±0.002

    注:若有其他厚度要求,請聯系我們。

    附:基片的選擇
    整個設計流程是從基礎陶瓷材料的選擇開始的。陶瓷的選擇主要是取決于介電常數,這將會決定導線的特征尺寸。陶瓷材料中具有最大的多功能性和設計彈性的是氧化鋁。氧化鋁具有非常精細的顆粒結構,使得氧化鋁可以用來設計精細的導線結構。其他材料的顆粒結構較粗,限制了導線的精細程度。
    導熱性和熱膨脹性能是在材料選擇中要考慮的兩個重要因素。基片與固定在它上面的元件之間、基片與其載具接觸面之間的熱膨脹系數不匹配會導致固定失敗。熱量處理也是高功率應用中的一個重要因數。
    基片厚度與頻率密切相關,以氧化鋁為例,不同厚度的基片,其最佳使用頻率不同:
    25mil (0.635mm)基片,使用頻率到6 GHz T=25 mils (0.635 mm),frequency to 6 GHz
    15mil (0.381mm)基片,使用頻率到18 GHz T=15 mils (0.381 mm),frequency to 18 GHz
    10mil (0.254mm)基片,使用頻率到40 GHz T=10 mils (0.635 mm),frequency to40 GHz
    5mil (0.127mm)基片,使用頻率到40 GHz以上 T=5 mils (0.127 mm),frequency above 40 GHz

    四、通孔金屬化
     
    本公司提供氧化鋁基板電路的通孔金屬化,以方便接地,通孔電阻小于等于50毫歐姆。
      可加工的金屬化通孔最小直徑為0.1mm,基片厚度與孔徑的標準比例是1:1,薄膜基片所能承受最小比例是0.6。最小孔距為0.8×基片厚度×2;孔邊緣到導體帶線的最小距離是63.5微米;孔到基片邊緣的最小距離是0.8×基片厚度×1.5;孔位最小偏差為50微米。

     

    通孔規范 

    標準徑厚比

    最小徑厚比

    最小孔距

    最小孔邊距

    最小孔線距

    1:1

    0.6

    0.8×T×2

    0.8×T×1.5

    63.5um

    五、表面金屬化 
    本公司為客戶提供兩種金屬化選擇:(TaN)/TiW/Ni/Au和(TaN)/TiW/Au。TaN層為電阻層,電路中設計有電阻,則TaN層必選。

    金屬化             

                        構成

    厚度

    金(Au)

    大于4微米
    我的女儿叫小可 (>4.0um)

    鎳(Au)

    0.10~0.20微米
    (0.10~0.20um)

    鈦鎢(TiW)

    0.08~0.12微米
    (0.08~0.12um)

    氮化鉭(TaN)

    0.02~0.06微米
    (0.02~0.06um)

    圖形化 

    項目

    參數

    最小線寬

    0.02mm

    最小縫寬

    0.02mm

    線縫誤差

    我的女儿叫小可±0.002mm

    套刻精度

    <0.01mm

    性能 

    項目

    參數

    方阻范圍

    20~100Ω/□

    電阻精度

    <±10%

    電阻溫度系數

    我的女儿叫小可<±150ppm/℃

    電極耐溫特性

    我的女儿叫小可400℃×10min

    不同金屬化的焊接方式 

    金屬結構 

    功能

    適用焊料

    不適用焊料

    TiW/Au

    提供微帶線

    AuSn, AuGe, AuSi,
    導電膠

    PbSn

    TaN/TiW/Au

    微帶線電阻器

    AuSn, AuGe, AuSi,
    我的女儿叫小可 導電膠

    PbSn

    TiW/Ni/Au

    提供微帶線

    AuSn, AuGe, AuSi, PbSn,導電膠

    ——

    TaN/TiW/Ni/Au

    微帶線電阻器

    我的女儿叫小可AuSn, AuGe, AuSi, PbSn,導電膠

    ——

    六、外形及公差 
    本公司供應的電路外形通常為矩形,也可提供簡單的非矩形電路。
     

     

    尺寸公差 (mm)

    項目

    公差

    L

    我的女儿叫小可±0.05

    W

    我的女儿叫小可±0.05

     

    尺寸公差  (mm)

    項目

    公差

    L (W)

    我的女儿叫小可±0.05

    a(b)

    我的女儿叫小可±0.10

     

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